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Siliziumcarbid UV-Photodioden von sglux
SiC Photodioden bis 36mm2 aktive Fläche

sglux produziert seit 2009 SiC-basierte UV-Photodioden-Chips mit aktiven Flächen von 0,04 mm2 bis zu 36 mm2. Damit bietet sglux weltweit die flächengrößten SiC UV Photodioden an.

 

Im Vergleich zu anderen UV-sensitiven Chips bietet SiC eine extreme Langzeitstabilität, ein nahezu perfekte Visible Blindness, einen geringen Dunkelstrom und ein sehr niedriges Rauschen. Damit ist SiC das beste derzeit verfügbare Material zur Detektion ultravioletter Strahlung. Die SiC-Photodioden von sglux können bis 170°C betrieben werden und verfügen über einen geringen Temperaturkoeffizienten von <0,1%/K. Die Photodioden werden als UV-Breitband-Empfänger sowie mit verschiedenen Filtern (UV-A, UV-B, UV-C, Erythem, ICNIRP) angeboten. Jeder Sensor ist durch unsere TOCON-Serie auch als Hybrid-Photodiode mit integriertem Verstärker vertreten.

 

Link zum Produktkonfigurator

Charakterisierung gemeinsam mit PTB

Die Spezialisten der sglux GmbH haben über 15 Jahre Erfahrung mit der Produktion von UV-sensitiven Chips. Darauf basierend wurden strenge Qualitätskriterien für die Chips entwickelt. Im Fokus steht eine hohe Langzeitstabilität, welche durch eine konsequente Weiterentwicklung der SiC-Chiptechnologie erreicht werden konnte. Die Physikalisch-Technische Bundesanstalt in Braunschweig (PTB) konnte entsprechend feststellen, dass die Chips aus unserer Produktion die bekannt hohe Strahlungsfestigkeit der bis 2007 von Cree, Inc. produzierten SiC-Chips nochmals um Faktor zwei übertrifft.

 

Auch konnte die Visible Blindness von fünf Größenordnungen (Cree-Produktion) auf 10 Größenordnungen erheblich verbessert werden.

 

Link zur PTB-Veröffentlichung

Entwicklung und Produktion in Berlin-Adlershof

Die Chips wurden gemeinsam mit dem Ferdinand-Braun-Institut Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (Lithographie), dem Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (Epitaxie) und Cree, Inc. entwickelt. Die Produktion geschieht in Berlin-Adlershof auf 3 Zoll Wafern an den Anlagen der beiden Forschungseinrichtungen.

 

Link zur Veröffentlichung FBH

Link zum IKZ